人民網(wǎng)上海11月6日電 （焦磊）幾十年來(lái)，“摩爾定律”被認(rèn)為是科技進(jìn)步的主要?jiǎng)恿χ�一，預(yù)言了芯片日新月異的發(fā)展進(jìn)程�？萍计髽I(yè)通過(guò)不斷探索，持續(xù)推進(jìn)半導(dǎo)體創(chuàng)新，在產(chǎn)品領(lǐng)先性、制造、制程工藝及封裝、系統(tǒng)級(jí)代工方面不斷取得突破。

日前，在以“新時(shí)代，共享未來(lái)”為主題的第六屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)（以下簡(jiǎn)稱“進(jìn)博會(huì)”）上，英特爾展現(xiàn)了推進(jìn)摩爾定律的前沿探索與實(shí)踐成果，以及運(yùn)營(yíng)20年的成都工廠的智能化成果。

經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的前沿探索，英特爾正在用新的方式繼續(xù)推進(jìn)摩爾定律，即通過(guò)半導(dǎo)體制程與工藝、先進(jìn)封裝等技術(shù)共同延續(xù)單位面積晶體管倍增的增長(zhǎng)曲線。

首個(gè)EUV節(jié)點(diǎn)Intel 4將于2023年下半年按計(jì)劃推出，比Intel 7每瓦性能將提高約20%；Intel 3預(yù)計(jì)將于2023年下半年投產(chǎn)，比Intel 4每瓦性能將提高約18%；Intel 20A將是首個(gè)應(yīng)用PowerVia背面供電技術(shù)和新型全環(huán)繞柵極晶體管RibbonFET的制程節(jié)點(diǎn)；Intel 18A預(yù)計(jì)在2024年下半年投產(chǎn)，比Intel 20A每瓦性能將提升約10%……在制程與工藝方面，英特爾正以“四年五個(gè)節(jié)點(diǎn)”的路線不斷突破，致力于在2025年重新獲得晶體管的每瓦性能水平領(lǐng)先地位。

在先進(jìn)封裝方面取得的突破包括：可在封裝中容納更多晶體管的2.5D嵌入式多芯片互連橋接(EMIB)技術(shù)；讓處理器能夠進(jìn)行3D立體式堆疊的3D Foveros技術(shù)；以及下一代3D Foveros Omni & Direct，它將提供新的微縮、互連技術(shù)和混搭能力。

通過(guò)持續(xù)提高芯片性能和可靠性，降低成本并提高生產(chǎn)效率，成為滿足萬(wàn)億晶體管集成時(shí)代計(jì)算需求的重要探索路徑之一。

隨著全球數(shù)字化浪潮的來(lái)臨，半導(dǎo)體成為打造數(shù)字基座的重中之重。在數(shù)字經(jīng)濟(jì)中，算力發(fā)揮著基石作用。計(jì)算的作用正發(fā)生根本性轉(zhuǎn)變，計(jì)算技術(shù)將指數(shù)級(jí)飛躍，驅(qū)動(dòng)更廣泛的經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域發(fā)展。

巨大的市場(chǎng)需求催生了智能化晶圓制造、封裝檢測(cè)、芯粒和軟件等系統(tǒng)級(jí)代工服務(wù)，這為芯片制造帶來(lái)全新可能，有利于滿足數(shù)字化未來(lái)的算力需求。

英特爾成都工廠基于技術(shù)創(chuàng)新，對(duì)晶圓預(yù)處理、封裝及測(cè)試業(yè)務(wù)進(jìn)行了全面升級(jí)，并攜手合作伙伴實(shí)施了多種場(chǎng)景的智能化晶圓檢測(cè)方案，助力提升產(chǎn)品的質(zhì)量水平和生產(chǎn)效率。

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