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【納米新技術(shù)】LSI篇:利用分子的自組織現(xiàn)象以低成本方法實(shí)現(xiàn)微細(xì)化

2013年04月11日08:49    來(lái)源:人民網(wǎng)-財(cái)經(jīng)頻道

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3D打印機(jī):新世紀(jì)“制造革命”

 

在LSI相關(guān)的展示中,不使用高價(jià)曝光裝置即可推進(jìn)微細(xì)化的技術(shù)引人關(guān)注。例如,東芝公司介紹了把利用高分子自組織現(xiàn)象形成微細(xì)圖案的DSA(Directed Self-Assembly)技術(shù)用于接觸孔的實(shí)例(圖10)。

圖10:DSA技術(shù)的制造流程

東芝展示了利用高分子自組織現(xiàn)象形成微細(xì)圖案的DSA技術(shù)。(圖片拍攝于東芝的展板)

通過(guò)在直徑70nm左右的接觸孔(引導(dǎo)模型)上涂布特殊高分子并實(shí)施加熱處理,成功地在整面300mm晶圓上將接觸孔直徑縮小到了25nm。利用高分子之間相互凝聚的性質(zhì),因此具備縮小后的接觸孔尺寸偏差小、形狀接近圓形的特點(diǎn)。東芝目前正在推進(jìn)該技術(shù)的開(kāi)發(fā),爭(zhēng)取2016年前后應(yīng)用于NAND閃存等。

面向2.5維的新技術(shù)亮相

不依賴微細(xì)化即可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)高集成化的2.5維及三維安裝技術(shù)方面也有新的要素技術(shù)亮相。富士膠片公司展出的可大量形成直徑60nm的微細(xì)通孔的2.5維及三維封裝用轉(zhuǎn)接板技術(shù)就是代表(圖11)。

圖11:將陽(yáng)極氧化后的鋁板用于轉(zhuǎn)接板

富士膠片展出了采用陽(yáng)極氧化鋁板的2.5維及三維封裝用轉(zhuǎn)接板技術(shù)。(圖片拍攝于富士膠片的展板)

作為2.5維及三維封裝用轉(zhuǎn)接板,此前有采用TSV(硅通孔)的硅轉(zhuǎn)接板以及可形成TGV(玻璃通孔)的玻璃轉(zhuǎn)接板。此次富士膠片的轉(zhuǎn)接板的特點(diǎn)是通孔直徑約為60nm,可縮小至TSV和TGV的1/100左右。通過(guò)使厚度為80μm的鋁基板實(shí)現(xiàn)陽(yáng)極氧化,像蜂窩一樣形成大量在厚度方向貫通的、直徑約為60nm的通孔,然后采用鍍銅等工藝將銅嵌入其內(nèi)部制造。(日經(jīng)技術(shù)在線! 供稿) 

(責(zé)編:值班編輯、莊紅韜)

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