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三星電子（Samsung Electronics）8月6日宣布，已開始量產(chǎn)全球首款三維單元構(gòu)造的NAND閃存“Vertical NAND（V-NAND）”。該產(chǎn)品可用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品及工業(yè)設(shè)備的嵌入式NAND存儲(chǔ)器和SSD。

V-NAND采用（將電荷存儲(chǔ)在氮化膜里的）電荷捕獲式三維單元構(gòu)造。單元堆疊層數(shù)為24層，采用三星自主開發(fā)的蝕刻技術(shù)，一次性完成所有開孔加工，降低了制造成本。據(jù)稱能夠?qū)崿F(xiàn)現(xiàn)行20nm工藝浮柵型平面NAND閃存2倍以上的集成度，此次的量產(chǎn)產(chǎn)品的單芯片容量達(dá)到128Gbit。另外，與10nm工藝的浮柵型NAND閃存相比，可將工作可靠性提高至2～10倍，寫入速度提高至2倍。三星表示，將來還有望實(shí)現(xiàn)Tbit級別的大容量化。

現(xiàn)行的平面型NAND閃存在微細(xì)化的同時(shí)浮柵間距變得非常小，單元間的干擾問題越來越嚴(yán)重。作為超越微細(xì)化極限的技術(shù)，以三星及東芝為首的NAND閃存企業(yè)開始推進(jìn)3D NAND閃存的開發(fā)，而三星率先開始量產(chǎn)。此次三星公布量產(chǎn)消息后，估計(jì)各大NAND閃存企業(yè)很可能會(huì)將3D NAND的量產(chǎn)日程提前。（日經(jīng)技術(shù)在線！ 供稿）