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東芝代表董事社長(zhǎng)田中久雄在8月7日的“2013年度經(jīng)營方針說明會(huì)”上，介紹了該公司正在開發(fā)的3D NAND閃存“BiCS（Bit-Cost Scalable）”的量產(chǎn)計(jì)劃。說明會(huì)結(jié)束后，田中在接受記者的集體采訪時(shí)表示，BiCS的量產(chǎn)開始時(shí)間“尚未確定，但打算在本年度（2013年）末或下年度（2014年）初量產(chǎn)”。

田中在經(jīng)營方針說明會(huì)上登臺(tái)發(fā)言

田中強(qiáng)調(diào)了東芝的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，稱BiCS的量產(chǎn)品“將實(shí)現(xiàn)其他競(jìng)爭(zhēng)公司無法追隨的非常小的芯片尺寸（面積）”。因此，對(duì)于8月6日宣布開始量產(chǎn)3D NAND的韓國三星電子，他表示“希望大家不要只抓表面上的量產(chǎn)晚了半年多這一點(diǎn)”。

在說明會(huì)的答記者問環(huán)節(jié)，田中對(duì)于東芝在未來NAND閃存技術(shù)開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)中的地位明確表示“充滿信心”。他還說：“我們不僅一直在微細(xì)化方面領(lǐng)先，包括（其他）技術(shù)方面素在內(nèi)，我們都非常有信心�！�

田中稱，東芝今后計(jì)劃“在BiCS之前先向1Ynm工藝及1Znm工藝推進(jìn)微細(xì)化”。“對(duì)于目前正在量產(chǎn)的19nm第2代的下一代，也已有望實(shí)現(xiàn)微細(xì)化，現(xiàn)在在芯片尺寸方面能夠趕上甚至超越（三星發(fā)布的3D NAND）”，也就是說，“東芝的1Ynm～1Znm工藝產(chǎn)品就完全能夠和三星的3D NAND抗衡”。

盡管東芝對(duì)繼續(xù)實(shí)現(xiàn)NAND閃存的微細(xì)化有著非同一般的自信，但同時(shí)也承認(rèn)“1Znm工藝之后將會(huì)迎來物理性極限”。因此，該公司打算在2015年前后正式轉(zhuǎn)向3D NAND。（日經(jīng)技術(shù)在線！ 供稿）