2013年10月09日09:38
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自從進(jìn)入3G時代，由于TD-SCDMA眾所周知的問題，中移動的用戶就開始感到比聯(lián)通等用戶矮半頭，特別是在智能手機(jī)的用戶體驗方面。但這些郁悶將隨著2014年4G進(jìn)入規(guī)模商用階段而煙消云散。
中國4G牌照將在年底發(fā)放
中國TD產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長楊驊在“ICT中國·2013高層論壇（9月24～26日，北京）”的TD-LTE產(chǎn)業(yè)分論壇上指出，2013年底，4G牌照將正式發(fā)放。中國移動在全國100個城市建成20萬個基站后，2014年TDD智能機(jī)的需求量會暴增，千元智能機(jī)也會同時大批量上市。
中移動終端產(chǎn)品部總經(jīng)理汪恒江透露，2013年，LTE智能機(jī)單月的出貨量已超1500萬部，且后續(xù)勢頭極強(qiáng)。
目前，全球有230個LTE商用網(wǎng)絡(luò)，TD-LTE占21個，還有40多個網(wǎng)絡(luò)正在部署。21個TD-LTE網(wǎng)中，10個是TDD和FDD融合組網(wǎng)。2013年底前，LTE商用網(wǎng)絡(luò)可能達(dá)到260多個。尤其是中國4G牌照發(fā)放后，TDD覆蓋率將會迅猛提高。
中興通訊副總裁王勇介紹，2012年第四季度，美、日、韓三國的LTE智能機(jī)市場份額分別為14.7%、10.9%和40.2%，共占全球LTE90%的份額。但在中國市場起量后，這一格局將被完全改變。
TD-LTE網(wǎng)絡(luò)正進(jìn)一步完善
中移動正向2013年20萬個基站的目標(biāo)全力推進(jìn)。北京已建了1000多個，并已于7月底，開始了TD-LTE用戶體驗招募活動。此外，在香港已部署FDD/TDD融合網(wǎng)絡(luò)，實現(xiàn)了切換時延55ms，與系統(tǒng)內(nèi)異頻切換性能相當(dāng)。
中國移動通信研究院副院長黃宇紅表示，由于TD-LTE商用后，用戶數(shù)量會出現(xiàn)激增，因此，要加強(qiáng)用戶體驗，進(jìn)一步提升網(wǎng)絡(luò)性能。
用戶體驗方面，首先，覆蓋率非常重要，特別是室內(nèi)深度覆蓋方面。Smallcell（小站）將對BBU+RRU起到重要補(bǔ)充作用，除宏站外，還要引入范圍小于2km的Nanocell，不到200m的Picocell 。
對于室內(nèi)覆蓋問題，大唐移動通信設(shè)備公司移動通信部副總工鄒素玲表示，4G智能終端和移動互聯(lián)網(wǎng)的無線數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)70%發(fā)生在室內(nèi)。Smallcell可覆蓋居民小區(qū)的熱點(diǎn)和盲點(diǎn)，且成本非常低，需求量很大。
Smallcell的關(guān)鍵技術(shù)是同步和密集組網(wǎng)。室內(nèi)主要是空口同步和1588同步。密集組網(wǎng)要重點(diǎn)解決干擾、移動性管理及負(fù)荷均衡問題。
第二，降低結(jié)構(gòu)性時延。網(wǎng)絡(luò)層減少1ms時延，用戶體驗層感知的時延可減少14ms。
第三，F(xiàn)DD、TDD的融合組網(wǎng)不僅是產(chǎn)品、技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的融合，最終目的是融合網(wǎng)絡(luò)。合并TDD和FDD頻譜，使用戶感覺只有一張網(wǎng)。2016年，大陸的商用網(wǎng)絡(luò)將支持TDD/FDD資源聚合。
提升網(wǎng)絡(luò)性能方面，要通過載波聚合、CoMP技術(shù)和多天線增強(qiáng)技術(shù)來實現(xiàn)。
1. 載波聚合。目前TDD在20MHz帶寬的下行速率最高是150Mbps，載波聚合方式可在40MHz帶寬下，實現(xiàn)300Mbps的下行速率。今后還會推動D+F跨頻段、F頻段帶內(nèi)、D頻段帶內(nèi)60MHz的載波聚合標(biāo)準(zhǔn)化和產(chǎn)業(yè)化。
2. CoMP技術(shù)。今后推動系統(tǒng)廠商支持下行相干與非相干的聯(lián)合發(fā)送方案。
3. 多天線增強(qiáng)技術(shù)。后續(xù)關(guān)注重點(diǎn)是，端到端設(shè)備支持TM9天線技術(shù)，及終端上行雙流發(fā)送方案。
另外，中移動還力爭在2014年實現(xiàn)端到端設(shè)備的VoLTE商用語音方案。
廠商爭相推出28nm芯片
中移動的黃宇紅表示，2013年底到2014年初，市場上將出現(xiàn)5模13頻的TD-LTE智能機(jī)�，F(xiàn)在TDD智能機(jī)的功耗已經(jīng)跟FDD相當(dāng)了，有時甚至?xí)汀?/p>
海思、中興、高通、Marvell、聯(lián)發(fā)科等半導(dǎo)體廠商已經(jīng)或?qū)⒁鲜?8nm工藝的TD-LTE智能機(jī)芯片。
中興在2013中國國際信息通信展會（PT/EXPO COMM CHINA 2013）上,演示了可實現(xiàn)VoLTE語音通話的28nm商用芯片WF7510。
對于LTE智能機(jī)芯片的射頻前端部分，由于每個頻段需要單獨(dú)的收發(fā)電路，這使射頻前端部分占了手機(jī)PCB板20%的面積，功耗和成本很高。
高通認(rèn)為，提高射頻前端的集成度是4G手機(jī)最后一個設(shè)計難題。其所開發(fā)的RF360芯片實現(xiàn)了一個模塊處理所有頻段模式的功能，即一個基帶加一個前端模塊，RFIC和功放等都集成在前端模塊內(nèi)。
從2013年TD-LTE大熱看來，堅守中移動的數(shù)億老用戶終于快要熬出頭了。用不了多久，就可以暢快淋漓地享受真正豐富多彩的移動寬帶互聯(lián)網(wǎng)生活了。（作者 恩平，日經(jīng)技術(shù)在線！供稿））
