只有“4家公司”能夠在制造領(lǐng)域生存

在本屆IEDM上，大型代工企業(yè)美國GLOBALFOUNDRIES公司首席執(zhí)行官Ajit Manocha向與會者介紹了這些潮流對業(yè)界帶來的影響。作為會議第二天午宴的特邀演講者，Manocha以“FOUNDRY 2.0，Are you ready for mobile era?”為題發(fā)表了講演。

“壟斷化”與“移動化”潮流洶涌 在會議第二天的午宴（Luncheon）上，GLOBALFOUNDRIES首席執(zhí)行官Ajit Manocha發(fā)表演講（a、b）。 Manocha指出，估計能夠制造尖端SoC的企業(yè)今后只有4家左右，而且拉動半導(dǎo)體市場增長的火車頭變成了移動產(chǎn)品（c）。（圖（c）為GLOBALFOUNDRIES的資料）

Manocha首先指出，因移動產(chǎn)品拉動半導(dǎo)體市場增長，尖端半導(dǎo)體的需求迅速擴大。估計采用尖端工藝技術(shù)的45～20nm工藝SoC的代工市場在2011～2016年將以年均37％的速度擴大。這要求代工企業(yè)具備多大產(chǎn)能呢？Manocha引用調(diào)查公司的數(shù)據(jù)，給出了令人吃驚的數(shù)字。僅從用于移動產(chǎn)品的32～20nm工藝應(yīng)用處理器來看，每年就會產(chǎn)生60萬枚（按300mm晶圓換算）的新需求。光是為了滿足應(yīng)用處理器的需求，代工企業(yè)的半導(dǎo)體月產(chǎn)能就要增加5萬枚。

而且，Manocha稱，估計能夠制造20nm工藝以上尖端SoC的半導(dǎo)體廠商“只有4家”。除了GLOBALFOUNDRIES和臺積電之外，還有美國英特爾公司和韓國三星電子公司。Manocha認為，因為技術(shù)壁壘高、投資負擔(dān)大，4家企業(yè)之外的公司將會退出尖端SoC制造業(yè)務(wù)。因此，Manocha稱，無論是技術(shù)開發(fā)還是擴大生產(chǎn)規(guī)模，“我們面臨的壓力都會越來越大，（SoC制造）競爭將更加激烈”。

如此激烈的競爭正迫使各公司制定出積極的微細化計劃。Manocha在演講中表示，繼2013年即將量產(chǎn)的20nm工藝之后，1年后的2014年將會微細化至14nm工藝，再1年后的2015年將微細化至10nm工藝。還稱2017年將會實現(xiàn)7nm工藝的量產(chǎn)。關(guān)于是否為應(yīng)對半導(dǎo)體需求的擴大而推進450mm晶圓的大口徑化，Manocha稱“這對遵循摩爾法則至關(guān)重要”。并明確表示不會落后于已經(jīng)表現(xiàn)出大口徑化愿望的英特爾、三星和臺積電。

很久之后量產(chǎn)技術(shù)發(fā)布才會增加

尖端半導(dǎo)體制造的壟斷化帶來的影響在近幾年的IEDM上得到了如實反映。以前，很多SoC廠商都競相發(fā)布用于新一代半導(dǎo)體的CMOS技術(shù)，這樣的情形卻在本屆IEDM上完全消失。

在與SoC用晶體管技術(shù)關(guān)系較大的九場分會中，SoC廠商針對設(shè)想近期量產(chǎn)的CMOS技術(shù)進行發(fā)布的分會只有兩場。其他大多是大學(xué)及研究機構(gòu)發(fā)布的打算5年之后實用化的技術(shù)。一名半導(dǎo)體研究者表示：“在過去的IEDM上，以2～3年之后實現(xiàn)量產(chǎn)為目標(biāo)的技術(shù)發(fā)布居多。而最近論文卻出現(xiàn)了兩極分化，集中在非常接近實用化的技術(shù)和要很久才能實用化的技術(shù)上�！�

半導(dǎo)體用途向移動產(chǎn)品和云服務(wù)轉(zhuǎn)變也會帶來很大影響。會議第二天晚上的專題討論會的議題是“終極晶體管技術(shù)”和“新一代非易失性存儲器技術(shù)”。前者支撐移動產(chǎn)品等使用的SoC的未來，后者支撐移動產(chǎn)品及數(shù)據(jù)中心使用的存儲設(shè)備的未來。