FDSOI及新型MRAM備受關(guān)注

在各項(xiàng)技術(shù)發(fā)布中備受關(guān)注的也是瞄準(zhǔn)移動(dòng)產(chǎn)品及數(shù)據(jù)中心用途的晶體管技術(shù)及存儲(chǔ)器技術(shù)。

圖3 新一代晶體管和存儲(chǔ)器備受關(guān)注 SoC用晶體管技術(shù)方面，F(xiàn)inFET及其競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)FDSOI晶體管的相關(guān)演講受到高度關(guān)注（a、b）。存儲(chǔ)器方面，除了以代替SRAM及DRAM為目標(biāo)的STT-MRAM之外，有關(guān)NAND閃存三維化的成果也吸引了很多聽(tīng)眾（c、d）。

晶體管技術(shù)方面，英特爾發(fā)布的采用22nm工藝立體晶體管（FinFET）的移動(dòng)產(chǎn)品用SoC技術(shù)吸引了很多聽(tīng)眾。在個(gè)人電腦用微處理器領(lǐng)域長(zhǎng)期掌握霸權(quán)的該公司，也因?yàn)樵谥悄苁謾C(jī)及平板電腦用處理器領(lǐng)域遇到美國(guó)高通等對(duì)手而陷入困難境地。英特爾在此次發(fā)布技術(shù)時(shí)強(qiáng)調(diào)，已實(shí)現(xiàn)了將SRAM的待機(jī)漏電流降至32nm工藝的1/5的“低功耗化”。

能否不使用會(huì)導(dǎo)致成本增加的立體晶體管，而采用現(xiàn)行平面晶體管繼續(xù)推進(jìn)SoC的微細(xì)化？意法半導(dǎo)體公司（ST）宣布，為這一問(wèn)題給出答案的技術(shù)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)化，這同樣成了本屆IEDM上晶體管技術(shù)方面的熱門(mén)話題。這是一項(xiàng)用于移動(dòng)產(chǎn)品用SoC的完全耗盡型SOI（fully depletedsilicon on insulator：FDSOI）技術(shù)。該公司稱，可采用與現(xiàn)行Bulk CMOS類似的工藝技術(shù)及設(shè)計(jì)技術(shù)制造，而且能夠獲得FinFET同等程度以上的晶體管性能。

該技術(shù)已確定被ST的子公司瑞士ST-Ericsson的SoC“Novathor”的新一代平臺(tái)采用。在會(huì)議首日晚上SOI Industry Consortium主辦的技術(shù)研討會(huì)上，ST公開(kāi)了28nm工藝Novathor試制芯片的特性。該公司還同時(shí)預(yù)測(cè)稱，通過(guò)采用FDSOI技術(shù)，可將平面晶體管的壽命延長(zhǎng)至10nm工藝。

存儲(chǔ)器方面，有兩大焦點(diǎn)吸引了與會(huì)者。一個(gè)是與STT-MRAM（spin transfer torque MRAM）新型存儲(chǔ)器相關(guān)的發(fā)布增加。該存儲(chǔ)器具有非易失性、高速及擦寫(xiě)次數(shù)沒(méi)有限制等出色特性，作為SRAM及DRAM的替代存儲(chǔ)器而備受期待。東芝公司還公開(kāi)了通過(guò)以STT-MRAM代替SoC混載的SRAM，將緩存功耗削減至1/3的推算結(jié)果，受到了與會(huì)者的廣泛關(guān)注。

關(guān)于目前的存儲(chǔ)器市場(chǎng)的主角——NAND閃存，在微細(xì)化逼近極限的背景下，能夠解決這一問(wèn)題的三維技術(shù)成了人們關(guān)注的焦點(diǎn)。韓國(guó)SK Hynix公司顯示出了在該技術(shù)領(lǐng)域的影響力。該公司公開(kāi)了采用一次形成40層存儲(chǔ)器單元的方法實(shí)現(xiàn)大容量化的技術(shù)。計(jì)劃最早于2013年下半年開(kāi)始提供采用該技術(shù)的128Gbit左右的樣品。三維NAND閃存即將迎來(lái)實(shí)用階段。（日經(jīng)技術(shù)在線！ 供稿）